廢氣（qì）處理設備的（de）種類

廢氣處理設備的種類（lèi）分為吸收設（shè）備、吸附設備（bèi）、催化燃燒設（shè）備、等離子治理設備。下麵源和小編針對廢氣處理設備的種類為大家一（yī）一介紹。

吸收設備

吸收法采用低揮發（fā）或不揮發性溶劑對VOCs進行吸收，再利用VOCs和吸收劑物理性質的差異進行分離。

含VOCs的氣體自吸收塔底部進入塔內，在上升過程中與來自塔頂的吸收劑逆流接觸，淨化後的氣體由塔頂排出（chū）。吸收（shōu）了VOCs的吸收劑通過熱交換器後，進入汽（qì）提塔頂（dǐng）部，在溫（wēn）度高於吸收溫度或壓力低於吸收壓力的條件（jiàn）下（xià）解吸。解吸後的吸（xī）收劑經過溶劑冷凝器冷凝後回到吸收塔。解吸（xī）出的VOCs氣體經過冷凝器、氣（qì）液分離（lí）器後以較純的VOCs氣體離（lí）開汽提塔，被回收利用。該（gāi）工藝適合於VOCs濃度較高、溫度較低的氣體淨化，其他情況下需要作相應的工藝調整。

吸附設備

在用多孔性固體（tǐ）物（wù）質（zhì）處理流體混合物（wù）時，流體中的某一組分或某些組分可（kě）被吸表麵並（bìng）濃集其（qí）上，此現象稱為吸附。吸附處（chù）理廢氣（qì）時，吸附的對象（xiàng）是氣態汙染物，氣固吸附。被吸附的（de）氣體組分稱為吸附質，多孔固體物質稱（chēng）為吸附劑。

固體表（biǎo）麵吸附了吸附質後（hòu），一部被吸附的吸附質可從吸附劑（jì）表麵（miàn）脫離，此現附。而當（dāng）吸附進行一段時間後，由於表麵吸（xī）附質的濃集，使其吸附能力明顯下降而吸附淨化的要求，此時需要采用一定（dìng）的措施使吸附劑上已（yǐ）吸附的吸附質（zhì）脫附，以協的吸附能力，這個過程稱為吸附劑的再生。因此在實際吸附（fù）工程中，正是利（lì）用吸附一再生一再吸附的循環過（guò）程，達到除去廢氣中汙染（rǎn）物質並回收廢氣中有用組（zǔ）分。

催化燃燒設備

燃燒（shāo）法（fǎ）用於（yú）處（chù）理高（gāo）濃度Voc與有惡臭的化合物很有（yǒu）效，其（qí）原理是用過量的空氣（qì）使這些雜質（zhì）燃燒，大多數（shù）生成二（èr）氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當處理含氯和含硫的有機（jī）化合物時，燃燒（shāo）生成產物中HCl或SO2，需（xū）要對燃燒後氣體進一步（bù）處理。

等離子治理設備

等離（lí）子體就是處於電離狀態的氣體，其英文名稱（chēng）是plasma，它是由美國科學 muir，於1927年在研究低氣壓下汞蒸氣中放（fàng）電現象（xiàng）時（shí）命（mìng）名的。等離子體由大（dà）量的子、中性原子、激（jī）發態原子、光子和自由基等組（zǔ）成，但電子和正（zhèng）離子的電荷數必須體表（biǎo）現（xiàn）出電中性，這就是“等離子體”的含義。等離子體具（jù）有（yǒu）導電和受電（diàn）磁影響的（de）許多方麵與固體、液體和氣體不同（tóng），因此又有人把它稱為物質的第四種狀態。根據狀態、溫度（dù）和離子密（mì）度，等離（lí）子體通（tōng）常可（kě）以分為高溫等離子體和低溫等離子體（包（bāo）子體和（hé）冷（lěng）等離子體）。其中（zhōng）高溫等離（lí）子（zǐ）體的電離度接近1，各種粒（lì）子溫度（dù）幾乎相同係處於熱力學平衡狀態，它主要應用在受控（kòng）熱核反應研究方麵。而低溫等離子（zǐ）體（tǐ）則學（xué）非平衡狀態，各種粒子溫度並不相同。其（qí）中電（diàn）子溫度( Te)≥離子溫度(Ti)，可達104K以上，而其離子和中性粒子的溫度卻可低到300～500K。一般氣體放電子體屬於（yú）低溫等離子體。

截至2013年，對（duì）低溫等離子體的作用機理研究認為是粒子非彈性碰撞的結果。低溫等離（lí）富含電子、離子、自由基和激發態分子，其中高能電子與氣（qì）體分子（原子）發生撞，將能量轉換成基態分子（原子）的內能，發生激發、離解（jiě）和電離等一係列過秸處於活化狀態。一方麵打開了氣體分子鍵，生成一些單分子（zǐ）和固體微粒；另一力生．OH、H2O2．等自由基和氧化性極強的O3，在這一過（guò）程中高能（néng）電（diàn）子（zǐ）起決定性作用，離子的熱運動隻有副作用。常壓下，氣體放電產生的高度非平衡等離子體中電子溫層氏度（dù））遠高於氣體溫度（室溫100℃左右）。在非平（píng）衡等離子體中可能發生各種類型的化學反應，主要決定於電子的平均（jun1）能量、電子密度、氣體溫度、有害氣體分子濃度和≥氣體成分（fèn）。這為一些需要很大活化能的反應如大氣中難降解汙染物的（de）去除提供了另外也可以對低濃度、高（gāo）流速、大風量的含（hán）揮發性有機（jī）汙染物（wù）和含硫類汙染物等進行處理。

常（cháng）見的產生等離子體的方法是氣體放（fàng）電，所謂氣體放電是指通過某種（zhǒng）機製使一電子從氣體原子或（huò）分子中電離出（chū）來，形（xíng）成的氣體媒質稱為電（diàn）離氣體，如果電離氣由外電（diàn）場產生並形成傳導電流，這種現象稱為氣體放電。根據放電產（chǎn）生的機理、氣體的壓j源性質（zhì）以及（jí）電極的幾何形狀、氣體放電等離子體主要分為以下幾種形式：①輝光放電；③介質阻擋放（fàng）電；④射頻放電；⑤微（wēi）波放（fàng）電。無論哪一種形式產生的等離（lí）子體，都需要高壓放電。容易（yì）打火產生危險。由於對諸如氣態汙染物的治理，一般要求在常壓下進行。

光催化和生物淨化設備

光催化是常溫深度反應技術。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機汙染物完全氧化成無毒無害的產物，而傳統的高溫焚燒技術則需要在極高的溫度下才可將汙染物摧毀，即使用常規的催化、氧化（huà）方法亦需要幾（jǐ）百度（dù）的高（gāo）溫。

從（cóng）理論上講（jiǎng），隻要半導體吸收的光能不小於其帶隙能，就足以激發產生電子和空穴，該半導體就有可能用作光催化劑。常見（jiàn）的單一化（huà）合物（wù）光催化劑多為（wéi）金屬氧化物或硫化物（wù），如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等（děng）。這些催化劑各自（zì）對特定反（fǎn）應有突出優點，具體研究中可根據需要（yào）選用，如（rú）CdS半導體（tǐ）帶隙能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有（yǒu）較好的（de）匹配性（xìng）能，可以很（hěn）好地（dì）利用自然光能（néng），但它（tā）容易發生光腐（fǔ）蝕，使用（yòng）壽命有限。相對而言，Ti02的綜合性能較好，是最廣泛使用和研究的單一化合物（wù）光催化劑。

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